是洁净室的问题。
时珈一打了个叉，她没有十个亿来解决这个问题。
第四步，扩散掺杂，将光刻好的硅片放入扩散炉，通入含有磷或硼的气体，在高温下让杂质原子穿过窗口渗入硅中，形成N型或P型区，这个步骤她很清楚，也会做，唯一的问题是苏国用的是管式炉扩散，温度波动有点大，导致优良差异大。没关系。有一个能用就行。
第五步是去胶与清洗，扩散完成后，必须去除残留的光刻胶。她记得美帝是用强酸煮沸或有机溶剂浸泡的化学湿法去胶，随后用超纯水冲洗。但容易残留有机物或损伤金属层。
除非.......除非她把60年代出来的等离子去胶技术给攻克了。
但这样又回到了原点，等离子工艺对洁净度要求极高，哪怕一粒灰尘落在晶圆上都会导致报废。
而且.......目前的知识让她对等离子体中“自由基”、“离子轰击”等微观化学反应机理的认识还非常浅薄........
时珈一摇摇头，算了算了，去胶先将就吧。
第六步是光刻与刻蚀，也就是再度光刻，像理查德说的，在需要引出电极的地方开出窗口。
在真空镀膜机中蒸镀铝，利用光刻胶保护电路，用酸液腐蚀掉多余的铝，形成金属导线。
需要掌握真空蒸镀铝工艺和湿法腐蚀工艺。
这个方法苏国已经有了，只是设备比较简陋。
第七步就是封装了，苏国是人工封装，但是时珈一自己之前给国家做过一个焊接工艺，对于密封性而言绝对没有对手。
这一步她可以解决。
时珈一写完后，仔细看了看，发现她现在最大的问题，居然是没有钱！
不然完全可以给华国捐一个洁净室！
有了洁净室，她就可以先试着做出一个低配版寿命短的集成电路了......
唉，梦想和现实隔了一条黄金河。