杂剂能够精确控制晶体管的电学性能。
“不，我感觉这效果已经不仅仅是简单的扩散掺杂了，我怀疑他们搞定了离子植入技术。”穆勒似乎从广播声音中找到了些许灵感。
在座工程师们面面相觑，因为大家没听说过这玩意。
“离子注入是什么？”
“我们都知道掺杂是指在硅中故意引入杂质，以改变其电学性能，形成晶体管和二极管所需P-N结。
而这种掺杂分两种，一种是扩散，基于高温通过气体将掺杂原子引入到硅晶圆的表面，再扩散到晶格中。”
“气体扩散这一技术在40年代就出现了，50年代贝尔实验室实现了精确控制，贝尔实验室1951年在《PhysicalReview》发表的论文里就详细描述了硅晶体管的扩散掺杂，公开了该技术。
当时晶体管的发明者肖克利提出了另外一项扩散技术，就是离子植入。
但目前硅谷都不一定实现了量产的离子植入工艺，华国人是怎么搞定的呢？”穆勒百思不得其解，“而且要是真用到了离子植入，30美元一台的价格也未免太便宜了一点。有可能是我猜测错误。
如果我猜测错误的话，就是华国在气体扩散技术上有所突破，总之无论是哪种可能，我都建议我们要加大和华国的技术交流，我们和华国又没有矛盾，在半导体领域，我们完全可以合作，也应该要合作，尤其在东德要推广OGAS的当下。”
(本章完)